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技术 - Article 2025.02.05

随着DDR5的采用,用于Memory电压调节器的MLCC 25V Solution

▷ 随着Memory技术的发展,从DDR4切换到DDR5,主要功率设计方式也发生了变化。为了比之前的Memory提供更高的带宽和电力效率,DDR5发生了结构性改变,将电压调节器(Voltage Regulator, VR)的位置移动到了主板内部。

 

▷ 在DDR4系统中,收到开关模式电源 (Switching Mode Power Supply, SMPS) 12V供电后,在电压调节器内减压至1.1V后为Memory模组提供电源。所以,要求的MLCC额定电压主要是4~6.3V左右。但在DDR5中,从开关模式电源输出的12V直接向主板的电压调节器供电,因此电压调节器输入端12V上使用的MLCC额定电压要求提高到25V。这种电压变化不仅仅是功率设计也是MLCC规格变化的主要原因。 [Figure1]

 

graph_CN.jpg

▷ 三星电机根据市场变化的需求,在世界上首次开发出0805 inch, X6S, 22uF, 25V MLCC,此产品满足最新Memory系统要求的所有规格,同时保证高可靠性。 

 

 img.jpg 

Samsung

Size (inch)

Capacitance

Rated Voltage

TCC

CL21X226MAYNNW#

0805

22uF

25V

X6S

 


SAMSUNG 25V MLCC Line-up

Samsung

Size (inch)

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Voltage

[Vdc]

TCC

Capacitance

MP

Status

Sample

CL21X226MAYNNW#

0805

25

X6S

22uF

MP

Available

CL31X226KAK6NW#

1206

25

X6S22uF

MP

Available

 

 

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