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경계현 사장, 2020년 해동기술상 수상

등록일
2020.12.11

◇ DRAM, Flash 등 핵심 메모리 제품 개발로 반도체 경쟁력 강화
◇ 재료, 모듈 등 소재 • 부품 간 기술 융복합 통한 한국 전자부품 기술력 제고
 
경계현 사장이 대한전자공학회가 수여하는 ‘2020년 해동기술상’을 수상했습니다.
 
해동상은 고(故) 김정식 대덕전자 회장이 설립한 해동과학문화재단에서 학문과 기술 발전에 기여한 한국 전자공학 및 관련 분야 인재에게 수여하는 상입니다.
 
경계현 사장은 삼성전자에 재직하면서 DRAM, Flash, SSD 등 핵심 메모리 제품 개발로 반도체 경쟁력 강화에 기여했고, 삼성전기에서는 기술리더십을 바탕으로 혁신제품을 지속적으로 개발하며 한국 전자부품 산업을 세계 최고 수준으로 발전시키는데 기여한 것으로 평가받았습니다.
 
경계현 사장은 1997년 세계 최초 Direct Rambus DRAM 개발을 시작으로 2013년 세계 최초 3차원 V NAND Flash 개발로 ‘자랑스런 삼성인상’을 수상했고, 2019년에는 세계 최초 UFS(Universal Flash Storage) 3.0과 128단 3D NAND 탑재 SSD 출시 등 메모리 반도체 시장에서 한국이 확고한 글로벌 1위 지위를 확보하는데 큰 역할을 했습니다.
 
또한, 2020년 1월 삼성전기 사장으로 부임 후 재료, 모듈 등 소재 • 부품 간 기술 융복합을 통해, 최첨단 전자재료, 핵심 수동부품, 카메라 모듈 및 기판 사업을 글로벌 일류로 집중 육성하여 한국 전자부품 기술력을 한층 높였습니다.
 
한편, 경계현 사장은 부상으로 받은 상금 2천5백만 원 전액을 IT 및 공학 분야 학생 후원과 인재 육성을 위해 기부했습니다.
 


[프로필]
1986. 02. 서울대학교 공과대학 제어계측공학과 (공학사)
1988. 02. 서울대학교 대학원 제어계측공학과 (공학석사)
1988. 12. 삼성전자 입사
1994. 02. 서울대학교 대학원 제어계측공학과 (공학박사)
2001. 04. 삼성전자 메모리 DRAM 설계팀, 수석
2009. 01. 삼성전자 메모리 DRAM설계팀, 상무
2011. 12. 삼성전자 메모리 Flash설계팀장, 상무
2013. 12. 삼성전자 메모리 Flash설계팀장, 전무
2015. 12. 삼성전자 메모리 Flash개발실장, 부사장
2018. 12. 삼성전자 메모리 Solution개발실장, 부사장
2020. 01. ~ 현재 삼성전기 대표이사, 사장
 

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