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기술 - Article 2025.02.05

DDR5 채용에 따른 Memory Voltage Regulator용 MLCC 25V Solution

▷ 메모리 기술의 발전으로 DDR4에서 DDR5로 전환되면서 주요 전력 설계 방식이 변화되었습니다. DDR5는 이전의 메모리 대비 더 높은 대역폭과 전력 효율성을 제공하기 위해 Voltage Regulator(VR)의 위치를 메인보드 내부로 이동시키는 구조적 변화를 채택하였습니다. 

 

▷ DDR4 시스템에서는 SMPS(Switching Mode Power Supply)에서 12V를 공급받아 VR에서 1.1V로 감압하여 메모리 모듈에 전원을 공급합니다. 따라서, 요구되는 MLCC의 정격 전압은 주로 4~6.3V 수준이었습니다. 하지만 DDR5에서는 SMPS에서 출력된 12V가 그대로 메인보드의 VR로 공급되어, VR 입력단 12V에 사용되는 MLCC의 정격 전압 요구가 25V로 높아졌습니다. 이와 같은 전압 변화는 전력 설계 뿐만 아니라 MLCC 사양 변화의 주요 요인으로 작용하고 있습니다. [Figure1]

 



▷ 삼성전기는 이렇게 변화하는 시장의 요구에 맞춰 0805 inch, X6S, 22uF, 25V MLCC를 세계 최초로 개발했습니다. 이 제품은 최신 메모리 시스템에서 요구하는 모든 스펙을 충족하며, 높은 신뢰성을 제공합니다.

 

 

Samsung

Size

Capacitance

Rated Voltage

TCC

CL21X226MAYNNW#

0805 inch

22uF

25V

X6S

 


삼성전기 25V MLCC Line up

Samsung

Size (inch)

Related

Voltage

[Vdc]

TCC

Capacitance

MP

Status

Sample

CL21X226MAYNNW#

0805

25

X6S

22uF

MP

Available

CL31X226KAK6NW#

1206

25

X6S22uF

MP

Available

 

 

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