Memory용 와이어 본딩 고밀도 패키지 기판
Gold Wire로 반도체 칩과 패키지 기판을 연결하고, 반도체 Chip 크기가 기판 면적의 80% 넘는 제품을 일반적으로 WBCSP라고 합니다.
Chip과 PCB 간 연결에 Gold Wire를 이용하며, 멀티 패키징이 가능하여 메모리 Chip에 주로 사용합니다.
특히, UTCSP(Ultra Thin CSP) 제품은 0.13㎜ 이하의 두께로 제품을 제작할 수 있고 Chip to PCB Connection 이 자유롭기 때문에
Multi Chip Packaging이 가능하며 동일 두께의 Package 대비 고성능을 구현할 수 있습니다.
![WBCSP(Wire Bonding Chip Scale Package) 부품의 구성요소[1. Mold, 2.Tape Substrate, 3.Gold Wire, 4.Solder Ball, 5.Copper Trace], Gold Wire가 칩별로 연결된 모습.](/resources/images/kr/product/wbcsp_sec_title_img.png)
WBCSP Lineup
Lineup by Specification
General WBCSP Road Map of HVM / Sample Product
| Routing Density | Bond Finger Pitch | 55P (25 / 12, Ni 3) (Mass Production) | 50P (20 / 10, Ni 2) (Sample Available) | |
|---|---|---|---|---|
| Line Width / Space | mSAP (Cu T 14) |
12 / 16um(Mass Production) | 10 / 15um(Sample Available) | |
| ETS (Cu T 13) |
7 / 8um (Mass Production) | 6 / 7um (Sample Available) | ||
| Via / Pad Size | mSAP | 50 / 90um(Mass Production) | 45 / 85um(Sample Available) | |
| ETS | 40 / 65um (Mass Production) | 37 / 60um (Sample Available) | ||
| SRO alignment | ± 12.5um (Mass Production) | ± 10um (Sample Available) | ||
| Min. SR Open size | 45um (Mass Production) | 40um (Sample Available) | ||
* um은 ㎛을 의미합니다.
Lineup by Structure & Z-Height
| Layer count | Structure | Thickness | |
|---|---|---|---|
| 2Layer (Mass Production) | Cored (Mass Production) | 80um (Mass Production) | 75um |
| 3Layer (Mass Production) | Coreless (Mass Production) | 80um (Mass Production) | 75um |
| ETS (Mass Production) | 120um (Mass Production) | 100um | |
| 4Layer (Mass Production) | Cored (Mass Production) | 120um (Mass Production) | 110um |
| Coreless (Mass Production) | 110um (Mass Production) | 100um | |
| ETS (Mass Production) | 160um (Mass Production) | 140um | |
| 6Layer (Mass Production) | Cored (Mass Production) | 220um (Mass Production) | 180um |
| Coreless (Mass Production) | 200um (Mass Production) | 180um | |
* um은 ㎛을 의미합니다.
